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我正在嘗試為微控制器布置12MHz的晶體。南通SMT貼片我已經閱讀了一些專-門針對晶體以及高頻設計的建議。
在大多數情況下,他們似乎同意以下幾點:
痕跡越短越好。
差分走線對應保持盡可能接近相同的長度。
將晶體與其他任-何物體隔-離。
在晶體下方使用接地層。
避-免信號線過孔。
避-免走線直角彎曲
這是我目前為水晶所擁-有的布局:
水晶布置
紅色代表頂層PCB銅,藍色代表底層PCB層(這是2層設計)。柵格為0.25mm。晶體下方有一個完整的接地層(藍色層),圍繞晶體的是一個通過幾個過孔與底部接地層相連的接地層。連接到時鐘引腳旁邊引腳的走線用于uC的外部復位。它應保持在?5V,并在接地短路時觸發復位。
我還有幾個問題:
我已經看到了一些推-薦的布局,這些布局將負載電容器放置得靠近IC,而另一些則將其放置在較遠的位置。我可以期望兩者之間有什么區別,建議使用哪一個(如果有)?
我應該從信號走線的正下方移除接地層嗎?看來這是減少信號線上寄生電容的方法。
您會建議使用粗或薄的跡線嗎?目前,我有1000萬筆痕跡。
我什么時候應該將兩個時鐘信號放在一起?我已經看到了一些建議,其中兩條線在前往uC之前基本上彼此指向,而另一條線則像我目前所使用的那樣彼此分開并緩慢地聚集在一起。
這是一個好的布局嗎?如何改-善?
到目前為止,我已經閱讀了一些資料(希望能涵蓋其中的大部分,我可能會遺漏一些):
TI對高速布局指南的建議
Atmel的AVR硬件設計注意事項
Atmel振蕩器PCB布局的實踐
我對布局進行了以下修改:
uC下方的底層被用作5V電源層,頂層是局部接地層。南通SMT貼片接地層有一個通向全-局接地層(底部層)的通孔,其中5V連接到源極,并且兩者之間有一個4.7uF的陶瓷電容器。使接地和電源布線輕-松!
我已移除了位于晶振正下方的頂部接地元件,以防-止晶振殼體短路。